时间：2025/9/14 14:10:34
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PSMN1R7-25YLDX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET，采用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件主要用于高功率密度应用，如电源管理、电机控制、电池管理系统和DC-DC转换器。PSMN1R7-25YLDX采用了LFPAK56封装技术，这种封装形式具备优异的热管理和电气性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业及汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：25V
漏极电流(ID)：160A
导通电阻(RDS(on))：1.7mΩ
栅极电压(VGS)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56
功率耗散(PD)：140W
PSMN1R7-25YLDX具备极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，这使其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，提高整体系统的效率。其LFPAK56封装不仅提供良好的散热性能，还增强了机械强度，适合在严苛环境中使用。该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过电压情况下仍能稳定运行，提高了系统的可靠性。
此外，该器件的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，有助于实现高频操作，适用于高性能电源转换系统。其栅极氧化层具备高耐压能力，支持±20V的栅极电压范围，增强了在复杂控制环境中的稳定性。
PSMN1R7-25YLDX符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器及电池管理系统（BMS）。其封装材料符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。
该MOSFET广泛应用于电源管理领域，如服务器电源、电信电源、工业电源模块和高效能DC-DC转换器。在汽车电子方面，它可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）。此外，PSMN1R7-25YLDX也适用于高功率电机控制、不间断电源（UPS）以及储能系统等应用场景。
PSMN0R9-25YLCX, PSMN2R8-25YLDX
