时间：2025/9/14 12:50:55
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PSMN1R5-30YL,115 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和各种高功率密度应用。PSMN1R5-30YL,115 采用先进的封装技术，提供良好的散热性能和高可靠性，是工业、汽车和消费类电子应用中广泛使用的功率开关元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：110W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（5661）
引脚数：8
阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：2600pF @ VDS=15V
过渡时间（tr/tf）：40ns/20ns
PSMN1R5-30YL,115 具有多个优异的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，仅为 1.5mΩ，在高电流工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，其最大漏极电流高达 80A，能够在高负载条件下稳定运行，适用于大功率 DC-DC 转换器和电机驱动电路。此外，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，增强了在高电压驱动环境下的稳定性和可靠性。
PSMN1R5-30YL,115 采用 LFPAK56 封装，该封装具有良好的热管理性能，能够有效散热，从而提高器件在高温环境下的工作稳定性。封装内部采用无引线设计，减少了寄生电感，提高了高频开关性能，适用于高频开关电源和同步整流器等应用。该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。
该 MOSFET 的输入电容较低（2600pF），有助于减少开关过程中的能量损失，从而提高整体能效。其过渡时间（tr/tf）分别为 40ns 和 20ns，具备较快的开关速度，适用于高频开关电路。此外，PSMN1R5-30YL,115 的阈值电压范围为 1.0V 至 2.5V，支持多种栅极驱动电路设计，提高了电路设计的灵活性。综上所述，PSMN1R5-30YL,115 是一款高性能功率 MOSFET，适用于对效率、可靠性和热性能要求较高的电子系统。
PSMN1R5-30YL,115 主要应用于需要高效能功率开关的场合。常见的应用包括高功率密度 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具、服务器电源、工业自动化控制系统、电机驱动器以及汽车电子系统。该器件的低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能电源转换和管理系统的理想选择。在汽车应用中，它可用于车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统等场景。在工业领域，PSMN1R5-30YL,115 常用于电源适配器、UPS（不间断电源）、逆变器以及各种高效率电源供应设备。由于其优异的热性能和高频开关能力，该 MOSFET 还适用于高频开关电源、PWM 控制电路和功率放大器等应用。
SiR344DP-T1-GE3, IPP075N10N5, BSC083N04LS
