时间：2025/5/24 12:14:48
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PSMN1R4-30YLDX是Nexperia公司生产的MOSFET功率晶体管，属于PowerMOS系列。该器件采用DPAK（TO-263）封装形式，适用于高效率开关应用和功率转换场景。其设计主要针对低导通电阻、快速开关特性和高可靠性进行了优化，广泛应用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中。
PSMN1R4-30YLDX是一款N沟道增强型MOSFET，其典型特点包括较低的导通电阻、较高的电流承载能力和出色的热性能，适合在要求苛刻的功率管理电路中使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：72A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：2900pF
结温范围：-55℃至175℃
封装类型：DPAK（TO-263）
PSMN1R4-30YLDX具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下保持高效运行，减少功率损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达72A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，具备低栅极电荷和快速开关速度，可有效降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够承受高温工作环境，最高结温可达175℃。
5. 符合AEC-Q101标准，确保其在汽车级应用中的可靠性和耐用性。
6. 小型化封装设计，便于PCB布局并节省空间。
这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效功率传输的应用场景。
PSMN1R4-30YLDX主要应用于以下领域：
1. 汽车电子系统，例如电动助力转向系统（EPS）、制动系统、空调系统等。
2. 工业设备中的电源管理模块，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。
3. 消费类电子产品的开关电源适配器和充电器。
4. 各种类型的电机驱动电路，尤其是中小型直流电机或无刷电机的控制。
5. 高效DC-DC转换器设计，用于笔记本电脑、服务器和其他便携式及固定式设备。
由于其出色的电气性能和可靠性，该MOSFET在需要高效率和高电流处理能力的场合表现尤为突出。
PSMN1R2-30YLDX
PSMN1R0-30YLDX
PSMN0R8-30YLDX
