时间：2025/9/14 22:50:39
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PSMN1R4-30YLD 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场合。PSMN1R4-30YLD 的最大漏源电压（VDS）为 30V，最大漏极电流（ID）可达 100A（在 25°C 下），适合高效率、高功率密度的电源设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
漏极电流 ID：100A（@25°C）
导通电阻 Rds(on)：1.4mΩ（@VGS=10V）
栅极电压 VGS：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
工艺技术：Trench MOSFET 技术
PSMN1R4-30YLD 具备多项优异特性，使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 仅为 1.4mΩ，极大地降低了导通损耗，提升了系统效率。该低导通电阻也使得在高电流应用中能够有效减少热量产生，提升整体系统稳定性。
其次，该器件采用 LFPAK56（又称 Power-SO8）封装，具有优异的热性能和机械可靠性。这种封装形式采用双面散热设计，有助于提高散热效率，同时简化 PCB 设计并提高空间利用率。
此外，PSMN1R4-30YLD 具有宽泛的栅极电压容限（±20V），使其在不同驱动电路中具备良好的兼容性。同时其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，使其在高频开关电源（如 DC-DC 转换器）中表现优异。同时，其出色的雪崩能量耐受能力增强了器件在极端工作条件下的可靠性。
最后，PSMN1R4-30YLD 符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保和可靠性日益增长的需求。
PSMN1R4-30YLD 主要适用于高功率密度和高效率的电源管理应用，例如同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
在服务器电源和电信设备中，该器件可作为高侧或低侧开关，用于高效能电源转换。由于其优异的导通电阻和热性能，特别适用于高电流、低电压输出的电源拓扑，如 VRM（电压调节模块）和 POL（Point of Load）电源系统。
此外，PSMN1R4-30YLD 也广泛用于电动工具、电动自行车、电动滑板车等便携式电动设备的电机驱动电路中，提供高可靠性和高效率的功率控制。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电池管理系统等关键模块，满足汽车级工作温度和可靠性要求。
SiSS140LNT, BSC138N10NS5, IPP114N10N3, IPB114N10N3
