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PSMN1R2-30YLC,115 发布时间 时间:2025/6/30 12:42:54 查看 阅读:8

PSMN1R2-30YLC,115 是一款 N 沟道功率 MOSFET,属于 Nexperia 公司的 PSMN 系列。该器件采用 LFPAK88 封装形式,具备低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于需要高效能功率开关的场景。
  这款 MOSFET 专为汽车级应用设计,符合 AEC-Q101 标准,适用于恶劣的工作环境,具有出色的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:114A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):97nC
  开关时间:ton=22ns, toff=36ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

PSMN1R2-30YLC,115 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高额定电流,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗。
  4. 符合汽车级标准,确保在极端温度和振动条件下稳定运行。
  5. LFPAK88 封装提供卓越的热性能和电气性能,并支持表面贴装工艺 (SMD)。
  6. 优异的雪崩能力和抗静电性能,增强器件的耐用性。

应用

该 MOSFET 广泛用于汽车电子系统和其他工业领域,典型应用场景包括:
  1. 汽车电机驱动和控制电路。
  2. DC/DC 转换器中的同步整流开关。
  3. 电动助力转向系统的功率管理。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 大功率 LED 驱动器和电池管理系统 (BMS)。
  6. 开关电源和逆变器模块中的关键组件。

替代型号

PSMN0R9-30YLH,115
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PSMN1R2-30YLC,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.25 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.95V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5093pF @ 15V
  • 功率 - 最大215W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-6724-6