时间：2025/6/30 12:42:54
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PSMN1R2-30YLC,115 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 Nexperia 公司的 PSMN 系列。该器件采用 LFPAK88 封装形式，具备低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于需要高效能功率开关的场景。
这款 MOSFET 专为汽车级应用设计，符合 AEC-Q101 标准，适用于恶劣的工作环境，具有出色的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：114A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：97nC
开关时间：ton=22ns, toff=36ns
工作结温范围：-55℃至175℃
PSMN1R2-30YLC,115 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 符合汽车级标准，确保在极端温度和振动条件下稳定运行。
5. LFPAK88 封装提供卓越的热性能和电气性能，并支持表面贴装工艺 (SMD)。
6. 优异的雪崩能力和抗静电性能，增强器件的耐用性。
该 MOSFET 广泛用于汽车电子系统和其他工业领域，典型应用场景包括：
1. 汽车电机驱动和控制电路。
2. DC/DC 转换器中的同步整流开关。
3. 电动助力转向系统的功率管理。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 大功率 LED 驱动器和电池管理系统 (BMS)。
6. 开关电源和逆变器模块中的关键组件。
PSMN0R9-30YLH,115
PSMN0R7-30YLC,115
PSMN0R9-30YLC,115
