时间：2025/9/14 13:56:42
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PSMN1R2-25YLC,115 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用Trench技术，专为高效功率转换应用设计。该器件具备低导通电阻、高可靠性和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及汽车电子等应用。该MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有较高的功率密度和优良的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（表面贴装）
PSMN1R2-25YLC,115 的核心优势在于其超低导通电阻（Rds(on)）仅为1.2mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET采用先进的Trench技术，优化了器件的导电性能和开关性能。
此外，该器件支持高达30A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其LFPAK56封装结构具有优异的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适合在严苛环境下工作，如汽车电子和工业控制领域。栅源电压限制为±12V，确保栅极驱动的安全性。
值得一提的是，LFPAK56封装无需引线，采用双面散热设计，提高了封装的可靠性，并简化了PCB布局。这种封装方式还支持自动光学检测（AOI），提升了生产良率和后期维护便利性。
该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
PSMN1R2-25YLC,115 主要用于需要高效能功率转换的场合，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、服务器电源、电池管理系统、电动工具、负载开关以及汽车中的功率控制模块。由于其优异的导通性能和热管理能力，特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电机驱动、LED照明控制以及电池管理系统（BMS）中的开关元件。其宽广的工作温度范围也使其在高温环境下表现出色。
在工业应用中，PSMN1R2-25YLC,115 被广泛应用于工业电源、PLC系统、自动化控制设备以及储能系统中的功率开关部分。
此外，由于其低导通电阻和快速开关特性，也非常适用于高频率开关应用，如多相供电系统和高性能电源模块。
Si7461DP-T1-GE3, SQJQ124EP-T1_GE3
