时间：2025/9/15 4:01:08
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PSMN1R2-25YL 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率密度和高效能的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流容量，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、工业电机控制以及负载开关等场合。PSMN1R2-25YL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在高温和高负载条件下的稳定运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±10V
漏极电流（Id）：120A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：120W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56 或类似功率封装
栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
漏源击穿电压（BVDss）：25V
PSMN1R2-25YL 具备多项优异的电气和热性能特点，使其成为高功率密度设计的理想选择。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）为 1.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在大电流应用中，这种低 Rds(on) 可以减少发热，提升可靠性。
其次，该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于高负载场景，如电源转换器和电动工具驱动电路。此外，其最大功耗为 120W，具备良好的散热能力，适合在高热应力环境下运行。
PSMN1R2-25YL 采用 LFPAK56 等先进的封装技术，具有优异的热管理和机械稳定性，增强了器件的耐用性和长期可靠性。这种封装还支持双面散热，进一步提升热性能。
其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应极端环境下的工作需求，适用于汽车电子、工业控制和可再生能源系统等对温度要求较高的应用。
该器件的栅极电荷（Qg）为 35nC，属于低电荷类型，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
PSMN1R2-25YL 广泛应用于多个高性能电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关，以提高转换效率并减少热量产生。在电动汽车和混合动力汽车中，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提供高可靠性和低功耗性能。
工业自动化和电机控制系统也是其重要应用场景。PSMN1R2-25YL 的高电流能力和低导通电阻使其适用于伺服电机驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源模块。
此外，在服务器电源和通信设备中，该器件可作为高效能开关元件，支持高密度电源设计，满足现代数据中心对节能和空间优化的需求。
由于其良好的温度适应性，该 MOSFET 也适用于户外设备和恶劣环境下的电子系统，如太阳能逆变器、储能系统和智能电表。
SiZ120DT, IPB120N25N3, NVTFS5C428NWKFT1G
