PSMN165-200K 时间：2025/5/8 15:57:27 阅读：7

PSMN165-200K 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK33 封装（也称为 D2PAK 或 SOT834-3）。该器件专为高效率、高密度电源管理应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其主要用途包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：7.2A（Tc=25°C）
　　导通电阻：0.29Ω（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：11nC（典型值）
　　开关速度：快速开关
　　封装类型：LFPAK33 (SOT834-3)
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PSMN165-200K 的主要特点是其低导通电阻和高耐压能力，能够在高压环境下提供高效的功率转换。
　　1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高了整体系统效率。
　　2. 快速开关性能使其非常适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性，使其能够承受过载条件下的能量冲击。
　　4. 小型封装有助于减少 PCB 占用空间，并支持更高的功率密度。
　　5. 宽工作温度范围使得该器件适用于各种环境条件下的工业和汽车应用。

应用

PSMN165-200K 广泛应用于需要高效功率管理的场景中，例如：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流 MOSFET。
　　2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 电池保护电路中的负载开关。
　　5. 各种工业和消费类电子设备中的功率转换和控制功能。