时间：2025/9/15 2:58:55
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PSMN102-200Y 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高效率的电源管理应用。该器件采用了先进的 TrenchPlus? 技术，提供优异的导通和开关性能，适用于诸如电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器、服务器电源和工业控制系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.0mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：220nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
PSMN102-200Y 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用先进的 TrenchPlus? 沟槽技术，使得在高电压下仍能保持良好的性能。
该 MOSFET 的高电流承载能力（额定漏极电流为 100A）使其非常适合用于大功率应用，如服务器电源、工业电源、不间断电源（UPS）以及电机控制和驱动系统。其高耐压能力（200V）使其在高输入电压的 DC-DC 转换器中表现尤为出色。
在热性能方面，PSMN102-200Y 采用了 TO-247 封装，具有良好的散热能力，能够在高负载条件下维持较低的工作温度，从而提高系统的稳定性和可靠性。此外，它的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应多种严苛的工作环境。
该器件还具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提高开关频率，从而实现更紧凑的设计。对于需要高频工作的应用，如 LLC 谐振转换器、ZVS（零电压开关）拓扑结构，PSMN102-200Y 是一个理想的选择。
PSMN102-200Y 主要应用于需要高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括服务器电源、工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电池充电系统、电机驱动器、太阳能逆变器和工业自动化控制系统等。在这些系统中，该 MOSFET 可用于主开关、同步整流、功率因数校正（PFC）电路以及各种高电压、大电流的功率转换拓扑结构。其优异的导通和开关性能使其成为设计高性能、高可靠电源系统的关键元件。
SiHF100N200E, FDP100N20F, IPP100N20C4, IRFP4468PBF
