时间：2025/9/14 19:26:34
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PSMN0R9-30ULDX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率 MOSFET，专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机控制等场景。PSMN0R9-30ULDX 采用 LFPAK 封装技术，提供良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A @ 温度25℃
导通电阻(Rds(on))：0.9mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装：LFPAK56(E)
引脚数：5
PSMN0R9-30ULDX 具备一系列高性能特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）为 0.9mΩ，在 Vgs=10V 时可实现极低的导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 使用 LFPAK56(E) 封装，采用无引脚设计和双侧散热结构，有效降低了热阻，提升了散热能力，使其在高电流条件下仍能保持稳定工作。
此外，该器件具有高电流承载能力和优良的雪崩能量耐受能力，增强了系统在极端工况下的可靠性。其栅极氧化层设计支持 ±20V 的栅源电压，提升了器件在高频开关应用中的稳定性与耐用性。同时，PSMN0R9-30ULDX 的封装符合 RoHS 环保标准，适用于自动化贴装工艺，便于批量生产与应用集成。
PSMN0R9-30ULDX 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及服务器和电信设备中的电源单元。其高电流能力和优异的热性能也使其适用于电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及工业自动化控制设备中的功率开关模块。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等应用，满足 AEC-Q101 汽车级可靠性标准。此外，它也适用于高功率 LED 照明驱动电路，以提高整体能效和延长使用寿命。
IPB013N04NG、BSC090N03MS、PSMN0R7-30YLC、NTMFS5C431N、SQJQ124EP
