时间：2025/9/15 1:21:50
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PSMN0R9-25YLD 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统和负载开关等应用。PSMN0R9-25YLD 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具备双面散热能力，有助于提高功率密度并简化散热设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：25 V
栅源电压（Vgs）：±12 V
连续漏极电流（Id）：160 A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.9 mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN0R9-25YLD 具有极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 0.9 mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高了整体效率。该器件采用 Nexperia 的 Trench 工艺技术，结合优化的芯片设计，实现了卓越的开关性能和导通性能。
其 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装不仅提供优异的热管理能力，还支持双面散热，从而在高功率密度设计中简化了散热器或PCB布局的需求。该封装具备良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化生产和高振动环境使用。
该 MOSFET 支持高达 160 A 的连续漏极电流（在25°C环境温度下），适用于高电流负载应用，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和服务器电源等。此外，其最大漏源电压为25V，适用于低压高电流电源系统。
PSMN0R9-25YLD 的栅极驱动电压范围为 10V 至 12V，确保在典型电源管理系统中易于驱动，同时具备较高的抗干扰能力。该器件的热阻（Rth）较低，有助于在高功率工作条件下保持芯片温度在安全范围内。
该 MOSFET 还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，提高了系统在异常工作条件下的可靠性。此外，其封装不含铅（RoHS合规），符合环保标准。
PSMN0R9-25YLD 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源、电动工具和电动车辆中的功率控制模块。
在服务器电源和电信电源系统中，该器件可作为主功率开关或同步整流器，显著降低导通损耗并提高系统效率。在电池管理系统中，PSMN0R9-25YLD 可用于高电流充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
在电机驱动和电能质量控制方面，该 MOSFET 可用于 H 桥拓扑结构，实现高效的电机控制。此外，其优异的热性能使其适用于高功率密度设计，如嵌入式电源模块和高密度适配器。
由于其双面散热能力，PSMN0R9-25YLD 也适用于需要高散热效率的表面贴装设计，减少对额外散热器的依赖，从而降低整体系统成本和体积。
PSMN0R9-25YLC, PSMN1R0-25YLD, PSMN2R0-25YLD, PSMN0R9-25YLH, IPD100N25N3G
