时间：2025/9/15 1:47:47
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PSMN0R9-25YLC,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适合用于需要高效率和高性能的电源管理系统。PSMN0R9-25YLC,115 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，提供良好的热性能和电流处理能力，适用于各种工业、汽车和消费类应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：0.9mΩ（最大值，@ VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
引脚数：8
阈值电压（VGS(th)）：1.0V 至 2.5V
输入电容（Ciss）：约2300pF
反向恢复时间（trr）：无体二极管恢复时间要求（用于同步整流等应用）
PSMN0R9-25YLC,115 具有极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 0.9mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench MOSFET 技术，结合 LFPAK56 封装，具有出色的热性能和电流承载能力。
该 MOSFET 的封装设计优化了 PCB 布局，支持双面散热，进一步提升了热管理能力。LFPAK56 是一种无引脚封装，具有较低的封装电阻和电感，有助于提高高频开关性能。
PSMN0R9-25YLC,115 的栅极驱动电压范围为 ±12V，通常在 VGS=10V 时达到最佳导通状态，适用于现代电源管理系统的栅极驱动电路。其阈值电压范围为 1.0V 至 2.5V，允许使用低电压控制器进行驱动。
该器件具有较强的耐用性和可靠性，符合汽车行业标准 AEC-Q101 的要求，适用于汽车电子系统中的功率转换和负载开关应用。其工作温度范围宽，可在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定运行。
PSMN0R9-25YLC,115 主要用于高效率电源转换系统，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制器和电源分配系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于服务器电源、通信设备、工业自动化设备和电动汽车（EV）相关系统。
在服务器和通信电源系统中，PSMN0R9-25YLC,115 可作为同步整流 MOSFET 使用，显著提升电源转换效率并减少散热需求。在电池管理系统中，它可用于高电流充放电控制，确保电池的安全高效运行。此外，该器件还可用于高功率电机驱动电路，提供快速开关和低损耗性能。
在汽车电子领域，PSMN0R9-25YLC,115 可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）等应用，满足汽车级可靠性和性能要求。
PSMN0R7-25YLC,115; PSMN1R0-25YLX; PSMN1R2-25YLC; PSMN2R0-25YLC
