时间：2025/9/14 19:35:29
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PSMN069-100YS,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热性能。该 MOSFET 封装为 LFPAK56 (Power-SO8)，适合表面贴装，适用于各种工业、消费类和汽车电子应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：140A
导通电阻 Rds(on)：6.9mΩ（最大值，@Vgs=10V）
导通电阻温度系数：正温度系数
功耗（Ptot）：95W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN069-100YS,115 具有优异的导通性能和开关特性，能够在高频率下稳定运行。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率。此外，该 MOSFET 采用 Nexperia 的 LFPAK 封装技术，具备出色的热管理和机械稳定性，适合在高负载和高温环境下使用。
该器件还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了在高压冲击下的可靠性。其封装设计优化了电流分布和散热路径，适用于同步整流、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等应用。
由于其高电流能力和低功耗特性，PSMN069-100YS,115 非常适合用于高功率密度的电源模块设计，如服务器电源、电信设备、工业自动化和电动车充电系统。
PSMN069-100YS,115 广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于：
1. DC-DC 转换器：适用于高效率、高功率密度的电源转换模块，如服务器和通信设备电源。
2. 同步整流电路：用于提高开关电源的转换效率，降低导通损耗。
3. 电机驱动和控制：适用于工业自动化、机器人和电动工具中的高电流开关控制。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统中的充放电控制和保护。
5. 负载开关和热插拔电路：适用于服务器和存储设备中的电源管理。
6. 逆变器和UPS系统：用于不间断电源和光伏逆变器中的功率转换环节。
PSMN081-100YS,115; PSMN079-100YS,115; IPB096N10N3 G; BSC127N10LS5
