PSMN059-150Y115 时间：2025/9/13 22:03:05 阅读：9

PSMN059-150Y115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率 MOSFET 器件。该器件采用先进的沟槽式技术，具备优异的导通性能和开关特性，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。PSMN059-150Y115 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，广泛应用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：100 A（在 25°C 下）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.9 mΩ（最大值，典型值 4.7 mΩ）
　　封装类型：PowerSO-10
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功耗（Ptot）：125 W
　　栅极电荷（Qg）：160 nC
　　输入电容（Ciss）：3300 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大工作频率：1 MHz

特性

PSMN059-150Y115 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流应用中保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其最大导通电阻为 5.9 mΩ，即使在大电流负载下也能维持较低的温升，提升器件的可靠性。该 MOSFET 支持高达 100 A 的连续漏极电流，在高温环境下仍能稳定工作，适用于高功率应用场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为 160 nC，输入电容为 3300 pF，使其在高频开关应用中表现优异，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流器。同时，PSMN059-150Y115 的反向恢复时间较短，仅为 45 ns，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　此外，PSMN059-150Y115 采用 PowerSO-10 封装，具有良好的热管理和电气性能，能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内稳定工作。其高耐压能力（150 V）和优异的热稳定性使其适用于高可靠性要求的工业和汽车电子应用。