时间：2025/9/14 9:33:23
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PSMN057-200B,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种高功率和高频率的应用。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适用于电源转换、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制等应用。该器件采用 LFPAK56 (Power-SO8) 封装，具有出色的可靠性和热管理能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A @ 25°C
最大漏-源电压（VDS）：200V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散（Ptot）：135W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN057-200B,118 具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为 5.7mΩ，在 VGS=10V 的条件下可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 使用 Nexperia 的 LFPAK56 封装技术，这种封装具有优异的热性能和机械强度，有助于在高负载条件下保持稳定的性能。此外，该器件的栅极设计优化，可减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。由于其优异的电气和热性能，PSMN057-200B,118 在工业电源、DC-DC 转换器、电动车辆系统以及高性能电池管理系统中得到了广泛应用。
此外，该器件支持宽范围的栅极电压控制，具有良好的线性工作区，适用于线性稳压器和负载开关应用。其坚固的结构设计也确保了在恶劣环境下的稳定运行，包括高温和高湿度条件。PSMN057-200B,118 符合 RoHS 标准，并具有良好的可焊性和装配兼容性，适用于自动贴片工艺和回流焊工艺。
PSMN057-200B,118 主要应用于高功率密度和高效率要求的电源系统中。例如，它广泛用于服务器电源、通信设备电源、工业电机控制、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等领域。此外，该 MOSFET 也适用于电动汽车和储能系统的电源转换模块，能够提供稳定、高效的电力传输。在电动工具和无人机等高功率便携设备中，该器件也可作为主开关器件使用。由于其良好的高频响应特性，PSMN057-200B,118 也常用于谐振变换器和软开关电源设计中。在需要高可靠性和高效率的场合，如 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统，该器件同样具有良好的适应性。
IPB054N20N3, IPP055N20N3, BSC060N20NS5, FDD8882
