时间：2025/7/1 23:29:28
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PSMN038-100YLX 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET，采用逻辑电平驱动设计。它属于 PSMN 系列，主要面向高效能、低功耗的应用场景。该器件使用 LFPAK56E 封装，具备出色的热性能和电气特性，适合用于开关电源、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换器等应用。其低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力使其成为高性能功率管理的理想选择。
PSMN038-100YLX 的逻辑电平驱动特性允许直接与微控制器或数字信号处理器接口，无需额外的栅极驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。
类型：N-channel MOSFET
封装：LFPAK56E
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.8mΩ
Id（连续漏极电流）：59A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.3V
Qg（总栅极电荷）：43nC
EAS（雪崩能量）：750mJ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN038-100YLX 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了传导损耗，提高了效率。此外，其逻辑电平驱动功能使得栅极驱动更加简便，非常适合电池供电设备和其他对能效敏感的应用。
LFPAK56E 封装形式提供了良好的散热性能和较低的寄生电感，有助于提高系统的可靠性和稳定性。器件还具有较高的雪崩击穿能量 (EAS)，能够承受短时间内的异常电流冲击。
此外，该器件的工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业、汽车及消费电子领域。
PSMN038-100YLX 广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中。例如：
1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
2. 电机驱动 (Motor Drives)
3. 负载开关 (Load Switches)
4. 电池管理系统 (Battery Management Systems)
5. DC-DC 转换器
6. 汽车电子中的各类控制模块
这些应用都得益于其低导通电阻、逻辑电平驱动以及优异的热性能。
PSMN036-100YS, PSMN038-100DS, IRFZ44N
