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PSMN035-150P,127 发布时间 时间:2025/9/13 23:36:48 查看 阅读:4

PSMN035-150P,127 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和优异的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等场景。该器件采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,适合中高功率应用。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(VDS):150 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):75 A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):35 mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):200 W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220
  栅极电荷(Qg):80 nC(典型值)

特性

PSMN035-150P,127 具有多个优异的电气和热性能特性,适合高功率和高效率的应用场景。其核心特性包括:
  ? 低导通电阻:RDS(on) 仅为 35 mΩ,可显著降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流应用场景。
  ? 高耐压能力:漏源电压(VDS)高达 150V,适用于中高功率电源转换系统,如 Boost 转换器和电机驱动器。
  ? 高电流承载能力:在 25°C 环境温度下,连续漏极电流可达 75A,适合高负载条件下的开关操作。
  ? 优异的热稳定性:TO-220 封装具备良好的散热能力,可有效降低芯片温度,提高器件的可靠性和使用寿命。
  ? 快速开关性能:较低的栅极电荷(Qg = 80nC)使其在高频开关应用中表现出色,减少开关损耗。
  ? 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围,适用于各种工业和汽车电子环境。
  这些特性使得 PSMN035-150P,127 成为电源转换、负载开关和功率管理应用中的理想选择。

应用

PSMN035-150P,127 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中,包括:
  ? DC-DC 转换器:适用于 Boost、Buck 和 Flyback 等拓扑结构,实现高效的电压转换。
  ? 电源管理系统:用于负载开关、电源分配和电池管理电路,提高能源利用效率。
  ? 电机控制:作为功率开关用于电机驱动电路,实现对直流电机、步进电机等的高效控制。
  ? 工业自动化设备:在工业控制系统中作为高电流开关,用于控制执行机构、继电器和电磁阀等。
  ? 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等汽车电子应用。
  ? 电源适配器和电源模块:用于提高功率密度和转换效率,满足高功率需求的电源设计。

替代型号

SiHF60N150E, STP75NF15, IRF1405, FDP6670, IPW60R150PFD7S

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PSMN035-150P,127参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs79nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4720pF @ 25V
  • 功率 - 最大250W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件