时间：2025/9/14 11:27:42
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PSMN034-100PS,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效能功率管理应用。该器件采用高性能的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、高电流处理能力以及优良的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统等多种应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：96A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerSO-10（也称为PS-10）
PSMN034-100PS,127 的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的Trench MOSFET技术提供了优异的开关性能，包括快速的开关速度和低栅极电荷（Qg），从而减少了开关过程中的能量损耗。
此外，该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性，适用于需要高稳定性和耐久性的工业级应用。封装采用PowerSO-10形式，具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。
该器件还具有较低的热阻（Rth），确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，从而提高系统的整体稳定性和寿命。
PSMN034-100PS,127 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、服务器电源、工业自动化控制电路以及汽车电子系统中的功率控制部分。其高效率和高可靠性也使其成为替代传统功率晶体管（如双极型晶体管）的理想选择。
IRF1405PBF, PSMN041-100PS,127, PSMN022-100PS,127
