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PSMN027-100XS 发布时间 时间:2025/5/30 19:00:20 查看 阅读:8

PSMN027-100XS 是一款由 NXP(恩智浦)生产的功率 MOSFET,采用逻辑电平增强型设计,适用于各种高效能开关和负载管理应用。该器件使用小型的 LFPAK33 封装形式,能够实现高电流输出的同时保持较低的导通电阻。PSMN027-100XS 的主要特点是低 Rds(on),使其在便携式设备、工业控制以及汽车电子等领域表现出色。
  此型号适合驱动直流电机、开关电源、LED 照明以及其他需要高性能开关的应用场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  封装:LFPAK33
  VDS (漏源电压):100V
  RDS(on)(最大导通电阻):5.8mΩ(在 VGS=10V 下测试)
  ID(连续漏极电流):49A
  VGS(th)(阈值电压):2.5V
  工作温度范围:-55°C 到 +175°C
  功耗:6W

特性

PSMN027-100XS 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 49A 的连续漏极电流。
  3. 小巧的 LFPAK33 封装尺寸,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。
  4. 逻辑电平栅极驱动,便于与微控制器或专用驱动电路配合使用。
  5. 工作温度范围宽广,可适应严苛的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特性使得 PSMN027-100XS 成为多种高效率应用的理想选择。

应用

PSMN027-100XS 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 直流电机控制,包括无刷直流电机驱动。
  3. LED 驱动和照明控制。
  4. 各类负载开关及保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
  其优异的电气特性和紧凑的封装形式使其成为许多现代电子设备中不可或缺的一部分。

替代型号

PSMN022-100YS, PSMN028-100YS

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