时间：2025/9/14 15:23:05
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PSMN027-100PS,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻和优异的热性能，使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN027-100PS,127 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用了Nexperia的Trench肖特基技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。
其高电流承载能力和优异的热管理性能使其非常适合用于高功率密度设计。
此外，该器件具有高雪崩能量能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
PSMN027-100PS,127 还具有良好的栅极电荷特性，有助于提高开关速度并降低驱动损耗。
PSMN027-100PS,127 常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和电机控制电路。
在服务器电源、电信设备电源和工业自动化系统中，这款MOSFET被广泛用于主开关或同步整流器。
由于其高耐压和大电流能力，也适合用于汽车电子系统中的功率控制模块。
此外，该器件还可用于高功率LED照明、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用领域。
PSMN027-100PS,118; PSMN031-100PS,127; PSMN031-100YS,118
