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PSMN025-100D,118 发布时间 时间:2025/9/14 22:32:49 查看 阅读:26

PSMN025-100D,118 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供低导通电阻、高效率和优异的热性能,适用于各种高功率密度和高开关频率的应用场景。该MOSFET采用DFN5x6封装,具有良好的散热性能,适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。PSMN025-100D,118的额定电压为100V,最大连续漏极电流为40A,适用于中高功率应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A @ 25°C
  导通电阻(Rds(on)):25mΩ @ Vgs=10V
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ @ Vgs=4.5V
  功率耗散(Ptot):60W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:DFN5x6

特性

PSMN025-100D,118 的核心特性包括低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,这使其在高功率应用中表现出色。该器件采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术,使得导通损耗更低,提高了整体系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为25mΩ,在Vgs=4.5V时也保持在30mΩ,适用于低电压驱动电路,兼容标准逻辑电平的驱动器。此外,该MOSFET具备较高的电流容量和良好的热稳定性,最大连续漏极电流可达40A,同时支持高达60W的功率耗散能力,确保在高负载条件下依然稳定运行。
  该器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适用于各种恶劣环境条件,例如工业控制、汽车电子和高可靠性设备。DFN5x6封装设计提供了优良的热管理性能,并且具有无铅、符合RoHS环保标准的特点,适合自动化生产流程。PSMN025-100D,118还具有良好的雪崩能力和抗短路能力,增强了器件在突发负载条件下的可靠性。

应用

PSMN025-100D,118 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。其高效能和高可靠性的特性使其成为高性能电源设计的理想选择。

替代型号

PSMN025-100D,118 可以考虑的替代型号包括PSMN035-100D、PSMN045-100DSE、IRFZ44N、IRF1404、SiS444DN等具有类似性能指标的N沟道MOSFET器件。在选择替代型号时,应确保替代器件的电气参数、封装形式和热特性满足具体应用需求,并进行必要的测试验证。

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PSMN025-100D,118参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)