时间：2025/9/14 10:27:52
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PSMN020-100YS,115 是由 NXP（恩智浦）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：14 A（在 Vgs = 10 V 时）
导通电阻（Rds(on)）：20 mΩ（最大值，Vgs = 10 V）
功耗（Ptot）：50 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
PSMN020-100YS,115 采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻和出色的热性能，能够在高频率下稳定运行。其栅极驱动电压兼容广泛，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，因此可与多种驱动器配合使用。该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在严苛环境下使用。此外，其封装形式具有良好的散热性能，可有效降低系统温度，提高整体效率。
该器件的封装设计采用标准 TO-220 封装，方便在 PCB 上安装和散热处理。同时，其低导通电阻可以显著减少传导损耗，从而提高电源转换效率。在实际应用中，PSMN020-100YS,115 可用于同步整流、高效 DC-DC 转换器以及负载管理等场景，是高性能功率系统中的理想选择。
PSMN020-100YS,115 广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：
· 高效率 DC-DC 转换器
· 同步整流器
· 电源管理系统
· 电机控制与驱动电路
· 电池充电与管理系统
· 工业自动化与负载开关控制
· 服务器与通信设备电源模块
PSMN020-100YLC,115；PSMN021-100YS；IRFZ44N；IPD04N041LG；SiSS14DN
