PSMN018-80YS 时间：2025/9/15 2:45:27 阅读：8

PSMN018-80YS是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优良的热稳定性，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：180 A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.8 mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：150 W
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

PSMN018-80YS具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET采用先进的Trench技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性。
　　LFPAK56封装具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高电流条件下稳定运行。
　　此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，适用于高应力开关环境，具备较强的抗短路和过载能力。
　　PSMN018-80YS还具有快速开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流和电源管理模块。

应用

PSMN018-80YS广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中，包括DC-DC转换器、服务器电源、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET非常适合用于同步整流拓扑中，提高转换效率并降低热损耗。
　　在汽车电子领域，PSMN018-80YS可用于车载充电器、48V轻混系统及电动助力转向系统等关键部件中。
　　此外，该器件也适用于需要高可靠性和高热稳定性的工业控制和通信电源系统。