时间：2025/9/14 20:44:27
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PSMN018-80YS,115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效电源管理应用中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。该MOSFET封装在LFPAK56（Power-SO8）封装中，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高电流和高频应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
连续漏极电流（ID）：180A（在VGS=10V时）
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
安装类型：表面贴装
功耗（Ptot）：135W（最大值）
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2400pF（典型值）
PSMN018-80YS,115具有多项优异的电气和物理特性，适合高性能功率转换应用。其主要特性包括：
? 低导通电阻（RDS(on)）：该器件的典型RDS(on)仅为1.8mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率，并降低功率损耗，从而改善热管理。
? 高电流承载能力：在VGS=10V时，连续漏极电流可达180A，适用于高电流负载应用，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。
? 高耐压能力：80V的漏源电压额定值使其适用于中高压电源应用，例如工业电源、汽车电子和电机驱动器。
? 优化的封装设计：采用LFPAK56封装，具有出色的散热性能和机械可靠性。该封装采用双面散热设计，可有效降低结到外壳的热阻，提升器件的热稳定性。
? 快速开关性能：较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，提高整体能效。
? 宽工作温度范围：器件可在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车环境。
? 高可靠性：基于Nexperia的先进制造工艺，PSMN018-80YS,115具备优异的长期稳定性和耐用性，确保在高负载条件下长时间运行。
PSMN018-80YS,115适用于多种功率电子系统，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。主要应用包括：
? DC-DC转换器：适用于高效率、高电流输出的DC-DC降压或升压转换器，广泛用于服务器电源、电信设备和工业电源系统。
? 电机驱动和控制：用于电机控制电路中，作为功率开关，实现电机的启停、速度调节和方向控制。
? 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）和储能系统中的电池充放电管理，确保电池安全高效运行。
? 电源管理模块：用于各类开关电源（SMPS）中，作为主功率开关或同步整流器，提升整体转换效率。
? 工业自动化与控制系统：用于PLC、伺服驱动器和工业机器人等设备中的功率控制模块。
? 汽车电子应用：如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵和风扇控制等。
PSMN022-80YS,115; PSMN039-80YSC,115; PSMN059-80YSC,115
