类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　漏极电流(Id)：17A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值1.7mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
　　栅极电荷(Qg)：23nC
　　输入电容(Ciss)：1200pF
　　功率耗散(Pd)：40W
　　

PSMN017-60YS115 具备多项显著特性，首先是其超低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中实现最小的功率损耗。该器件采用先进的 TrenchPlus 技术，提高了开关性能和导通性能，同时降低了开关损耗，适用于高频应用。LFPAK56 封装设计使得该MOSFET具备更高的热效率，能够有效散发热量，提升整体系统的稳定性。
　　此外，PSMN017-60YS115 在设计上优化了寄生电感，减少了开关过程中的震荡和损耗，使其在快速开关应用中表现更佳。其较高的电流承受能力和良好的热稳定性，使得该器件在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行。该MOSFET还具备较强的抗静电能力，提高了在工业环境中的耐用性。
　　另一个关键优势是其封装形式的可焊性增强，便于自动化生产与焊接，提高了制造过程中的良率和可靠性。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于需要符合环保法规的项目。综合这些特性，PSMN017-60YS115 成为了电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机驱动等应用的理想选择。

PSMN017-60YS115 被广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制电路、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在电信和服务器电源系统中，该MOSFET常用于高效能同步整流拓扑中，以提高整体能效。其高电流能力和优异的热管理性能使其在紧凑型电源设计中发挥重要作用。此外，在电动汽车和储能系统中，PSMN017-60YS115 可用于高压电池管理系统的开关控制，确保系统的安全与高效运行。

PSMN023-60YS115, PSMN031-60YS115, IPP017N06N3 G