时间：2025/9/15 3:00:42
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PSMN016-100PS 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其TrenchMOS?功率MOSFET系列。该器件设计用于高功率密度应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。PSMN016-100PS 采用先进的沟槽技术，以实现更低的开关损耗和更高的效率。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于在高功率应用中进行散热管理。这款MOSFET广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.0016Ω（典型值0.0013Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V至4.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Ptot）：320W
最大工作频率：适合高频开关应用
栅极电荷（Qg）：典型值为130nC
PSMN016-100PS 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用先进的沟槽技术，使得在保持低Rds(on)的同时，也具备出色的开关性能，适用于高频开关电源设计。其高电流承载能力和高功率耗散能力（320W）使其适用于高功率密度的电源系统。
该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热。此外，PSMN016-100PS 还具备较高的工作温度范围（-55°C至175°C），适合在严苛环境下工作，如汽车电子和工业控制系统。
该MOSFET的栅极阈值电压较低（2.5V至4.0V），可兼容多种驱动电路，包括低压微控制器和逻辑IC。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了其在过载和短路情况下的可靠性。
PSMN016-100PS 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适用于大功率开关电源、服务器电源、电信设备电源和可再生能源系统中的逆变器和充电器。
在电机控制应用中，PSMN016-100PS 可用于H桥驱动器，提供高效的电机驱动能力，适用于机器人、电动工具和工业自动化设备。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。此外，由于其良好的热性能和封装设计，该MOSFET也适用于需要高散热性能的功率模块设计。
IPB016N10N3 G | IRF1604S | SiR160DP | STP160N10F7
