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PSMN016-100PS 发布时间 时间:2025/9/15 3:00:42 查看 阅读:34

PSMN016-100PS 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于其TrenchMOS?功率MOSFET系列。该器件设计用于高功率密度应用,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力。PSMN016-100PS 采用先进的沟槽技术,以实现更低的开关损耗和更高的效率。其封装形式为TO-263(D2PAK),便于在高功率应用中进行散热管理。这款MOSFET广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  漏极电流(Id):160A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.0016Ω(典型值0.0013Ω)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V至4.0V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  功率耗散(Ptot):320W
  最大工作频率:适合高频开关应用
  栅极电荷(Qg):典型值为130nC

特性

PSMN016-100PS 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET采用先进的沟槽技术,使得在保持低Rds(on)的同时,也具备出色的开关性能,适用于高频开关电源设计。其高电流承载能力和高功率耗散能力(320W)使其适用于高功率密度的电源系统。
  该器件的封装形式为TO-263(D2PAK),这是一种表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于在PCB上安装和散热。此外,PSMN016-100PS 还具备较高的工作温度范围(-55°C至175°C),适合在严苛环境下工作,如汽车电子和工业控制系统。
  该MOSFET的栅极阈值电压较低(2.5V至4.0V),可兼容多种驱动电路,包括低压微控制器和逻辑IC。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统效率。此外,该器件具备良好的雪崩能量耐受能力,提高了其在过载和短路情况下的可靠性。

应用

PSMN016-100PS 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET特别适用于大功率开关电源、服务器电源、电信设备电源和可再生能源系统中的逆变器和充电器。
  在电机控制应用中,PSMN016-100PS 可用于H桥驱动器,提供高效的电机驱动能力,适用于机器人、电动工具和工业自动化设备。在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电控制,确保电池组的安全和高效运行。此外,由于其良好的热性能和封装设计,该MOSFET也适用于需要高散热性能的功率模块设计。

替代型号

IPB016N10N3 G | IRF1604S | SiR160DP | STP160N10F7

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