时间：2025/9/14 11:37:01
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PSMN015-60PS,127 是由 NXP（恩智浦）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用高性能的 TrenchMOS 技术制造，能够在高压条件下提供出色的性能和稳定性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：15A
漏源击穿电压 (Vds)：60V
栅源击穿电压 (Vgs)：20V
导通电阻 (Rds(on))：15mΩ
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C 至 150°C
功率耗散 (Ptot)：60W
漏极-源极连续电流 (Id)：15A
栅极电荷 (Qg)：15nC
输入电容 (Ciss)：1270pF
技术：TrenchMOS
PSMN015-60PS,127 采用先进的 TrenchMOS 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下的高效能运行。其低导通损耗和开关损耗使其非常适合用于高频开关应用。该器件的封装设计优化了热管理性能，能够有效散热，确保在高功率应用中的稳定性。
此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体系统效率。其输入电容（Ciss）值适中，适合多种控制电路设计。
PSMN015-60PS,127 的工作温度范围较宽，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等多种应用场景。其栅源击穿电压为 20V，确保在常见的栅极驱动电压条件下具有较高的可靠性。
PSMN015-60PS,127 常用于汽车电子系统、电源管理模块、直流-直流转换器、电机控制器、电池管理系统以及各种高电流和高效率要求的功率电子设备。由于其优异的电气性能和热管理能力，该器件也适用于高性能计算设备和工业自动化系统中的电源转换模块。
IPD180P06P4-03, STD15NF06L, FDP15N60
