PSMN015-110P 时间：2025/9/15 3:14:58 阅读：14

PSMN015-110P 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高电流能力和高可靠性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）@25°C：150 A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻温度系数：正温度系数
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：Power-SO10
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

PSMN015-110P MOSFET 采用先进的沟槽技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。其主要特性包括：
　　? 极低的导通电阻（1.5 mΩ）：显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高额定漏极电流（150A）：适用于高功率密度设计，如服务器电源、工业电源和电池管理系统。
　　? 高耐压（100V）：具备良好的电压应力承受能力，适用于中高压功率转换系统。
　　? 高可靠性设计：支持在高温环境下稳定工作，具备良好的热稳定性和耐用性。
　　? 热增强型 Power-SO10 封装：提供优异的散热性能，适合表面贴装工艺，提升生产效率。
　　? 快速开关特性：支持高频开关操作，降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　? 具备雪崩能量耐受能力：增强器件在异常电压瞬变下的稳定性。
　　这些特性使 PSMN015-110P 成为高性能功率 MOSFET 的理想选择。

应用

PSMN015-110P 广泛应用于需要高效能功率开关的电子系统中，包括：
　　? DC-DC 转换器和同步整流器：用于电信设备、服务器电源和工业控制系统。
　　? 电池管理系统（BMS）：适用于高功率电池组的充放电控制和保护。
　　? 负载开关：用于高电流负载的接通与断开控制，如电机、加热元件等。
　　? 电机驱动和逆变器：用于电动工具、电动车和工业自动化设备中的功率控制模块。
　　? 电源管理单元（PMU）：用于高效能计算设备和嵌入式系统的电源调节。
　　该器件的高效率和高可靠性使其成为现代功率电子设计中的关键组件。