PSMN013-30YLC 时间：2025/5/21 21:41:31 阅读：6

PSMN013-30YLC是Nexperia（前身为恩智浦半导体的分立元件和逻辑部门）生产的一款功率MOSFET。该器件属于P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装（也称为Power-SO8），广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等需要高效能开关的应用场景。
　　这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及出色的热性能，适合在消费电子、工业控制以及汽车电子领域使用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：-4.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±8V
　　功耗：1.7W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

PSMN013-30YLC的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高开关速度，使其能够在高频应用中表现出色。
　　3. LFPAK33封装提供了优越的散热性能和较低的寄生电感，非常适合表面贴装技术（SMT）应用。
　　4. 良好的雪崩能力和静电放电（ESD）耐受性，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该MOSFET适用于多种应用场景，例如：
　　1. 手机和平板电脑中的负载开关。
　　2. 便携式设备的电源管理。
　　3. 汽车电子系统的电池保护和电机控制。
　　4. 工业设备中的DC-DC转换器和逆变器。
　　5. LED驱动器和固态继电器等需要高效开关的应用。
　　由于其出色的电气性能和热性能，PSMN013-30YLC成为许多设计工程师在选择P沟道MOSFET时的理想选项。