PSMN013-30MLC 时间：2025/9/15 1:48:47 阅读：9

PSMN013-30MLC是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench沟槽技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于各种高效率电源管理系统。该器件采用DFN2020-6（MLP）封装形式，具备优良的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。PSMN013-30MLC主要面向DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）和电机控制等应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DFN2020-6 (MLP)
　　安装类型：表面贴装

特性

PSMN013-30MLC功率MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为1.3mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的压降和发热水平，从而提高整体系统可靠性。
　　该器件支持高达10A的连续漏极电流（Id），适用于需要高电流处理能力的电源管理应用。同时，其最大漏源电压为30V，能够满足多种低压电源转换系统的需求，如电池供电设备、便携式电子产品和工业控制系统。
　　PSMN013-30MLC采用DFN2020-6（MLP）封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸设计，非常适合空间受限的应用场景。此外，该封装具备低热阻特性，有助于提高器件在高负载条件下的热稳定性。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够在各种工作条件下保持稳定运行。其功率耗散能力为2.5W，在适当的散热设计下可支持高功率应用。器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性和长期可靠性，适用于工业级和汽车级应用场景。

应用

PSMN013-30MLC功率MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **DC-DC转换器**：适用于高效率、小尺寸的DC-DC降压或升压电路，提供低导通损耗和快速开关性能，提升转换效率。
　　2. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制、保护电路和负载开关管理，支持高电流和低功耗需求。
　　3. **负载开关**：作为高侧或低侧开关用于控制电源路径，适用于移动设备、服务器和工业设备的电源管理模块。
　　4. **电机控制**：用于直流电机或步进电机驱动电路，提供高电流承载能力和良好的热稳定性。
　　5. **电源管理模块**：适用于各种需要高效能功率开关的场合，如适配器、电源转换模块和智能电源管理系统。
　　6. **汽车电子**：用于车载充电系统、车载DC-DC转换器和车载电池管理系统，满足汽车级工作温度和可靠性要求。