时间：2025/9/14 20:38:54
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PSMN013-30MLC,115是一款由Nexperia（安世半导体）推出的功率MOSFET，采用增强型硅技术制造，适用于高效率功率转换应用。该器件具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等领域。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），适合自动化生产流程。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：130A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（最大值，典型值1.1mΩ）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
安装类型：表面贴装
功耗（Ptot）：94W
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2200pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：未指定（适用于同步整流应用）
PSMN013-30MLC,115的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了在低VGS电压下的高效导通，确保在各种功率转换应用中稳定运行。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，能够在极端工作条件下维持性能稳定。其130A的漏极电流能力使其适用于高功率密度设计，例如服务器电源、电动汽车充电模块和工业电机控制电路。同时，该器件的热稳定性优秀，能够在高温环境下长期运行而不影响性能。
LFPAK56封装是PSMN013-30MLC,115的一大亮点，这种无引脚封装技术不仅减小了封装电阻，还提高了散热效率。相比传统TO-252或TO-220封装，LFPAK56在PCB上的空间利用率更高，适合高密度设计，并且支持双面散热，有助于进一步提升系统可靠性。
该器件还具有良好的高频特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高转换效率。此外，±20V的栅极电压耐受能力使其在驱动电路设计上更加灵活，适用于各种栅极驱动IC配合使用。
PSMN013-30MLC,115主要应用于高效率功率转换和管理领域，如服务器电源、通信电源、工业电源模块、电池管理系统（BMS）、电动车充电设备、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
在服务器和数据中心电源系统中，该器件可作为同步整流器使用，提高电源转换效率并降低功耗。在电动车充电模块中，PSMN013-30MLC,115可用于主功率开关，实现高效能量传输。在电池管理系统中，该MOSFET可作为电池保护开关使用，确保电池在安全范围内工作。
此外，该器件适用于各种电机控制应用，如工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机驱动电路。其优异的热性能和高频特性也使其适用于开关电源（SMPS）和负载开关设计，能够满足高可靠性和高性能需求。
PSMN023-30MLC,115 / PSMN019-30MLC,115 / IPP013N03LG G / SQJA40EP03LG
