时间：2025/9/14 8:41:16
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PSMN013-100PS,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，适用于高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
连续漏极电流(ID)：30A（在Tamb=25°C）
导通电阻(RDS(on))：13mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：65nC（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
PSMN013-100PS,127 的核心特性包括其低导通电阻，这使得在高电流条件下功率损耗最小化，从而提高整体系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供卓越的热稳定性和开关性能，使其在高频应用中表现出色。此外，其高电流能力和良好的热管理特性确保在高负载条件下依然稳定运行。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高功耗应用中保持较低的结温。其65nC的栅极电荷值使得开关速度更快，降低了开关损耗，适合用于高频率开关应用。此外，该器件具有高雪崩能量等级，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。PSMN013-100PS,127 还具有良好的线性工作区特性，适合用于线性稳压器等应用。
PSMN013-100PS,127 适用于多种高功率和高效率的电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制和电池管理系统。其优异的热性能和低导通电阻使其成为高性能电源管理系统的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的高效能电源模块。
IPD90N10S3-03, PSMN023-100PS,127
