时间：2025/9/14 14:06:12
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PSMN013-100BS,118是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电池管理系统以及其他高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：50 A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（最大值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散（Ptot）：83 W
栅极电荷（Qg）：42 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1600 pF（典型值）
PSMN013-100BS,118具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该MOSFET采用了高性能Trench技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其适用于高频开关应用。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，提高了在高应力工作条件下的可靠性。
封装方面，PSMN013-100BS,118采用标准的TO-220封装，具备良好的热管理能力，可有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。该封装形式也便于安装散热片，从而进一步增强散热性能。
该器件具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），适合在极端环境条件下使用。此外，其高栅极电荷（Qg）特性确保了稳定的开关行为，降低了误触发的风险。PSMN013-100BS,118的高可靠性使其成为工业自动化、汽车电子、通信设备和消费类电源应用中的理想选择。
PSMN013-100BS,118广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流，提高转换效率；在电机驱动和负载开关电路中，其低导通电阻和高电流能力使其能够有效控制大功率负载。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS系统以及服务器和电信电源设备。
在汽车电子领域，PSMN013-100BS,118可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC转换模块。由于其具备高可靠性和优异的热性能，该器件能够在高温环境下稳定运行，满足汽车行业对长期稳定性和耐久性的严格要求。
IPB013N10N3 G
STD50N10F7
IRF3710PbF
