时间：2025/9/13 22:21:54
阅读：30
PSMN012-100YLX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于需要高效能功率管理的多种应用场景。该器件采用 LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具备良好的热性能和电流承载能力，适合用于汽车电子、工业控制、电源管理和 DC-DC 转换器等应用。PSMN012-100YLX 的设计旨在提供高效率和可靠性，同时在有限的空间内实现高性能的功率处理能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25℃：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大 1.2mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
功率耗散（Ptot）：120W
漏极电流峰值（Idm）：360A
栅极电荷（Qg）：140nC
输入电容（Ciss）：2400pF
反向恢复时间（trr）：35ns
PSMN012-100YLX 具备一系列优异的电气和热性能特点，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 1.2mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要，因为它可以显著减少热量的产生。
其次，该器件采用 LFPAK56 封装，这种封装技术具备优异的热传导性能，能够有效降低结温，提高器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。同时，该封装具有较小的 PCB 占用空间，适合对空间要求较高的应用。
此外，PSMN012-100YLX 具有较高的连续漏极电流能力（120A @25℃），能够在高电流负载下保持稳定的性能。其栅极电荷（Qg）仅为 140nC，使得开关速度较快，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件还具备良好的短路和过热保护能力，能够在严苛的工作环境下维持稳定运行。此外，其反向恢复时间（trr）较短，仅为 35ns，适用于需要快速开关的应用场景，如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动器。
由于其设计采用了 Nexperia 先进的 Trench MOS 工艺技术，PSMN012-100YLX 在导通电阻与开关性能之间实现了良好的平衡，并且具备优异的雪崩能量承受能力，进一步增强了器件的耐用性。
PSMN012-100YLX 广泛应用于多个高性能功率管理系统中。它常用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及 DC-DC 转换器。这些应用对器件的可靠性、效率和热管理能力有较高的要求，而 PSMN012-100YLX 正好满足这些需求。
在工业领域，该器件适用于电机控制、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及各种工业电源模块。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率密度应用中尤为适用。
此外，PSMN012-100YLX 也适用于通信电源、服务器电源和消费类电子产品中的高效率电源管理系统。由于其具备高频开关能力和低损耗特性，因此非常适合用于同步整流、负载开关和电源转换等电路设计中。
总体而言，该器件的高性能和高可靠性使其成为现代高效能功率系统中的关键组件。
IPB012N10N3 G, SQJQ120EP-T1_GE3, STD120N10F7AG, BSC120N10NS5AG
