时间：2025/9/14 1:01:25
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PSMN011-100YSFX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能功率转换的场合，如 DC-DC 转换器、电源管理系统和负载开关等。该 MOSFET 采用无铅、符合 RoHS 标准的封装，适用于工业级和消费类电子产品。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：110A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=10V
导通阈值电压（Vgs(th)）：2.5V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装
PSMN011-100YSFX 的主要优势在于其极低的导通电阻（11mΩ），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高漏源击穿电压（100V）使其适用于多种中高功率应用。此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定运行。其栅极结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。LFPAK56 封装提供了优异的热管理性能，同时支持双面散热，有助于提高器件在高电流下的可靠性。该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，确保了在严苛工况下的稳定运行。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，PSMN011-100YSFX 在汽车电子、服务器电源、同步整流器和电机控制等领域得到了广泛应用。
PSMN011-100YSFX 适用于多种高功率和高效率的电力电子系统，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机电源、服务器和通信设备的电源模块、工业电机驱动和逆变器、LED 照明驱动器、汽车电子（如车载充电器 OBC 和电池管理系统）等。该器件的高效率和高可靠性使其成为许多高要求应用场景的理想选择。
PSMN011-100YSF, PSMN021-100YSF, PSMN041-100YSF, IPP110N10N3G, IPW60R017C7
