时间：2025/9/14 9:52:12
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PSMN009-100B,118 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件以其高性能和可靠性著称，适合用于需要高效能和高稳定性的场合。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ
栅极电荷（Qg）：140nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN009-100B,118 的主要特性包括低导通电阻，这使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更高的效率和更小的热阻，从而提高了器件的可靠性。
此外，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，适用于需要高可靠性的工业环境。其TO-220封装形式也便于安装和散热管理。
PSMN009-100B,118 还具备出色的开关性能，能够在高频条件下稳定工作，适用于各种电源转换器、DC-DC转换器和电机控制应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，确保了与多种驱动电路的兼容性，并提高了导通性能。
PSMN009-100B,118 常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统（BMS）等应用中。其高效能和高可靠性使其成为工业自动化、电动汽车（EV）、储能系统以及太阳能逆变器等领域的理想选择。
IPB009N10N3, INF100N10SG, IPP009N10N3
