时间：2025/5/27 19:01:29
阅读：24
PSMN008-75P 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (Power MOSFET)，属于 Nexperia 的 PSMN 系列。该器件采用 LFPAK33 封装（也称为 SO8 封装），具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种功率转换和负载开关应用。其设计目标是为中等电压范围内的电路提供高性能和高可靠性。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：19nC
总电容：1020pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PSMN008-75P 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 超小型 LFPAK33 封装，节省 PCB 空间并简化散热设计。
4. 支持高频开关操作，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率电子设备。
5. 工作温度范围宽广，确保在极端环境条件下的稳定性。
6. 内部集成 ESD 保护，增强抗静电能力。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
PSMN008-75P 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动器和逆变器中的功率级元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
4. 计算机和通信设备中的负载切换和功率管理。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和功率分配。
6. 各类工业控制和消费电子产品的功率转换模块。
PSMN012-75P, PSMN016-75P, PSMN020-75XL
