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PSMN008-75P 发布时间 时间:2025/5/27 19:01:29 查看 阅读:12

PSMN008-75P 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (Power MOSFET),属于 Nexperia 的 PSMN 系列。该器件采用 LFPAK33 封装(也称为 SO8 封装),具有低导通电阻和高效率的特性,适用于多种功率转换和负载开关应用。其设计目标是为中等电压范围内的电路提供高性能和高可靠性。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:19nC
  总电容:1020pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

PSMN008-75P 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 超小型 LFPAK33 封装,节省 PCB 空间并简化散热设计。
  4. 支持高频开关操作,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率电子设备。
  5. 工作温度范围宽广,确保在极端环境条件下的稳定性。
  6. 内部集成 ESD 保护,增强抗静电能力。
  7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

PSMN008-75P 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动器和逆变器中的功率级元件。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
  4. 计算机和通信设备中的负载切换和功率管理。
  5. 汽车电子系统中的继电器替代和功率分配。
  6. 各类工业控制和消费电子产品的功率转换模块。

替代型号

PSMN012-75P, PSMN016-75P, PSMN020-75XL

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PSMN008-75P参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压75 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0085 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间80 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散230 W
  • 上升时间55 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间88 ns
  • 零件号别名PSMN008-75P,127