时间：2025/9/14 10:20:20
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PSMN008-75B,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能功率转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装形式，适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统以及各种高效率开关电源应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：75V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：160A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
功率耗散（Ptot）：100W
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
漏源击穿电压（BVDSS）：75V
PSMN008-75B,118 是一款具有优异导通性能和快速开关特性的功率MOSFET。其核心特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)）仅为8mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的最大漏极电流可达160A，在高功率密度应用中表现出色。
该MOSFET采用了Nexperia先进的TrenchMOS技术，确保了在高电流下仍具有良好的稳定性和可靠性。其LFPAK56封装是一种无引脚、双侧散热的封装形式，具有出色的热管理能力，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温度。
PSMN008-75B,118 还具有良好的栅极稳定性，最大栅源电压为±20V，使其适用于各种栅极驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）仅为40nC，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应速度，适用于高频开关应用。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应各种严苛环境条件，具备较高的热稳定性和耐久性。其100W的功率耗散能力使其能够在高功率应用中保持良好的性能表现，而不会因过热导致性能下降或损坏。
PSMN008-75B,118 广泛应用于高效率电源转换系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源、电动工具和电源管理模块等。此外，该器件也非常适用于负载开关、电机驱动器以及汽车电子系统中的功率控制部分。
PSMN009-75B,118; PSMN010-75B,118; IPP015N06N G; SiR178DP-T1-GE3
