型号：PSMN002
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：40V
　　连续漏极电流(ID)：150A
　　脉冲漏极电流(IDM)：600A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：0.75mΩ @ VGS=10V, ID=75A
　　导通电阻(RDS(on))：1.1mΩ @ VGS=4.5V, ID=75A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：约12000pF
　　输出电容(Coss)：约2400pF
　　反向恢复时间(trr)：约18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：LFPAK55

PSMN002具备极低的导通电阻，典型值仅为0.75mΩ（在VGS=10V、ID=75A条件下），这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升系统能效。其采用的Trench MOSFET工艺优化了载流子迁移路径，增强了沟道密度，从而实现更低的RDS(on)与更高的电流处理能力。同时，该器件的封装采用LFPAK55，这是一种无引脚、热增强型表面贴装封装，相较于传统的TO-220或DPAK封装，具有更低的热阻和更高的功率密度。这种封装结构通过直接将芯片连接至PCB上的铜箔层，大幅提升了散热效率，使器件在持续高负载下仍能保持稳定工作。
　　此外，PSMN002具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于减少开关损耗并提高开关频率，特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流应用。其输入电容约为12000pF，在同类产品中表现出色，确保了快速且稳定的开关响应。该器件还具备良好的体二极管性能，反向恢复时间短（trr约18ns），可有效抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，增强系统可靠性。
　　在可靠性方面，PSMN002经过严格的质量控制和测试流程，支持AEC-Q101认证，适用于汽车级应用。其最大工作结温可达+175°C，表明其在高温环境下依然具备出色的稳定性。同时，器件具有±20V的栅源电压耐受能力，提供了一定程度的过压保护，防止因驱动信号异常导致的栅氧击穿。综合来看，PSMN002凭借其卓越的电气性能、先进的封装技术和高可靠性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

PSMN002常用于需要高效率和高功率密度的电源系统中，例如服务器电源、电信设备电源模块、电动工具电池管理系统以及车载充电机等。它也广泛应用于DC-DC降压变换器、同步整流电路、电机驱动H桥中的低端开关，以及各类高电流开关电源拓扑结构中。由于其优异的热性能和电气特性，该器件特别适合在空间受限但功率需求较高的应用场景中使用。此外，PSMN002还可用于热插拔控制器、负载开关和过流保护电路，为系统提供快速响应和可靠的通断控制。在新能源汽车领域，如车载DC-DC转换器和电池均衡系统中，PSMN002也能发挥其低损耗、高可靠性的优势。其AEC-Q101认证进一步拓展了其在汽车电子中的适用范围，包括EPS（电动助力转向）、水泵/风扇驱动和车载照明控制等。总之，凡是在40V以下电压平台需要处理百安级以上电流的场合，PSMN002都是一个极具竞争力的选择。

[
　　 "PMEG002ER,115",
　　 "BSS138"
　　]