型号：PSMA28A
　　封装类型：SOD-323
　　极性：单PIN二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：280V
　　最大直流阻断电压（VR）：280V
　　最大RMS电压（VRMS）：198V
　　平均整流电流（IO）：250mA
　　正向压降（VF）：典型值1.1V（在IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大值5μA（在VR=280V，TA=25°C）
　　结电容（Cj）：典型值1.6pF（在Vr=4V，f=1MHz）
　　反向恢复时间（trr）：典型值7ns（在IF=10mA，IR=1mA，dl/dt=100A/μs）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

PSMA28A的核心特性之一是其出色的高频响应能力，这得益于其低结电容和快速反向恢复时间。在1MHz测试条件下，其典型结电容仅为1.6pF，使得该二极管在射频信号路径中引入的损耗极小，适用于高频开关和调谐电路。这一特性对于现代无线通信系统尤为重要，尤其是在多频段天线切换或滤波器调谐应用中，能够有效减少信号衰减和失真，提升整体系统灵敏度和传输效率。此外，其7ns的反向恢复时间保证了在高速开关操作中的快速响应，避免因载流子存储效应引起的延迟或振荡问题，从而提高了电路的工作稳定性与效率。
　　另一个关键特性是其高电压耐受能力。PSMA28A的最大重复峰值反向电压可达280V，使其不仅适用于低压逻辑电路中的保护功能，也能在中高压环境下可靠运行。这种高耐压能力结合250mA的平均整流电流承载能力，使该器件兼具一定的功率处理能力，适用于多种混合信号应用场景。例如，在雷击或静电放电（ESD）事件中，PSMA28A可以作为瞬态电压抑制链的一部分，将过电压引导至地，从而保护敏感的射频前端组件如LNA或PA。同时，其较低的正向导通压降（典型1.1V）有助于降低功耗，提高能效，尤其在电池供电设备中具有重要意义。
　　热性能和封装设计也是PSMA28A的重要优势。SOD-323封装虽然体积小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），但具备良好的散热路径，能够在有限的空间内有效传导热量。结合-55°C至+150°C的宽工作结温范围，该器件可在极端环境条件下保持稳定性能，适用于工业级和汽车级应用。此外，该器件采用无铅焊接工艺，符合RoHS和REACH环保指令，支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式，增强了其在现代电子制造流程中的兼容性和可靠性。

PSMA28A广泛应用于各类高频和中等功率电子系统中，尤其在无线通信领域表现突出。其主要应用之一是作为射频开关中的核心元件，用于移动设备中的天线切换模块。在智能手机或多模终端中，不同频段（如GSM、WCDMA、LTE、5G NR）之间的信号选择依赖于高效的RF开关网络，而PSMA28A凭借其低电容和快速开关特性，能够在不影响信号完整性的前提下实现精确的路径控制。此外，在Wi-Fi 6/6E和蓝牙模块中，该二极管可用于前端匹配网络的调谐或旁路功能，以优化阻抗匹配并提升无线连接的稳定性和吞吐量。
　　另一个重要应用是在保护电路中。由于现代集成电路（IC）对静电和瞬态电压极为敏感，PSMA28A常被用作二级ESD保护器件，部署在数据线、电源线或射频输入端口处。当遭遇高压脉冲时，该二极管迅速导通并将能量泄放到地，防止后续电路受损。相较于专用TVS二极管，PSMA28A虽不具备极低钳位电压，但其快速响应和适度的功率耗散能力使其在成本敏感型设计中更具优势。
　　此外，PSMA28A还可用于小信号整流、检波电路以及混频器中的非线性元件。在低功率射频识别（RFID）读写器或传感器节点中，它可用于从接收到的射频信号中提取能量或解调信息。其稳定的直流参数和可控的非线性特性使其成为此类模拟前端的理想选择。最后，在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中，该器件也常用于电源轨上的防反接或隔离功能，提供基本的电路保护机制。

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　　 "PMEG2802EH,115",
　　 "BAS70-04",
　　 "BAT54C",
　　 "PMG280XPE"
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