时间：2025/12/26 1:29:44
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PSDB5D28NT4R0是一款由Power Integrations公司生产的高集成度、高性能的PowiGaN?功率开关器件，专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件结合了先进的氮化镓（GaN）技术与Power Integrations成熟的控制电路，实现了比传统硅基MOSFET更高的开关速度和更低的导通损耗，从而显著提升电源系统的整体能效和功率密度。PSDB5D28NT4R0集成了一个耐压高达750V的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），并内置了驱动器、保护电路以及反馈控制接口，适用于反激式、正激式及有源钳位反激（ACF）等多种拓扑结构。该器件采用紧凑的表面贴装封装，具有优异的热性能和电气性能，能够在高温环境下稳定运行，广泛应用于消费类电子、工业电源、通信设备以及数据中心供电系统等对体积和效率要求较高的场景。得益于其高频工作能力，使用该器件的设计可以大幅减小磁性元件和电容的尺寸，进而实现更轻薄、更紧凑的电源适配器和充电器产品。
型号：PSDB5D28NT4R0
品牌：Power Integrations
器件类型：PowiGaN? 功率开关
拓扑支持：反激、有源钳位反激（ACF）、正激
集成FET类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：750 V
连续漏极电流（Id）：5 A
脉冲漏极电流（Idm）：10 A
导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ
栅极阈值电压（Vth）：1.5 V ~ 2.2 V
输入电容（Ciss）：典型值 1200 pF
开关频率范围：最高可达 1 MHz
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP-16E 带裸焊盘
热阻（RθJA）：典型值 45 °C/W
保护功能：过温保护、过流保护、过压保护、欠压锁定（UVLO）
控制方式：准谐振（QR）、CCM/DCM 模式自动切换
反馈接口：光耦兼容或无光耦 FluxLink? 隔离反馈
PSDB5D28NT4R0的核心优势在于其采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，该技术利用氮化镓材料的宽禁带特性，显著提升了器件的电子迁移率和击穿电场强度，从而在保持高耐压的同时实现了极低的导通电阻和寄生电容。这使得器件在高频开关条件下仍能维持极低的开关损耗和导通损耗，极大提高了电源转换效率，尤其是在中高负载条件下表现优异。与传统的硅MOSFET相比，PSDB5D28NT4R0可以在更高频率下工作，从而允许使用更小的变压器和输出滤波电容，有效缩小电源整体体积和重量，满足现代电子产品对小型化和轻量化的迫切需求。
该器件内部高度集成了控制器、驱动器和功率开关，减少了外部元器件数量，简化了电源设计流程，并降低了电磁干扰（EMI）风险。其智能控制逻辑支持多种工作模式，包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和断续导通模式（DCM），并能根据负载情况自动切换，以在整个负载范围内实现最优效率。此外，器件具备完善的保护机制，如逐周期电流限制、过温关断、过压保护和欠压锁定功能，确保系统在异常工况下的安全可靠运行。通过FluxLink?数字反馈技术，PSDB5D28NT4R0还支持原边反馈控制，无需光耦即可实现精确的输出电压调节，进一步提高系统的可靠性和寿命。其TSSOP-16E封装具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产，广泛应用于高性能电源适配器、USB-PD充电器、智能家居电源模块等领域。
PSDB5D28NT4R0主要应用于需要高效率、高功率密度和小型化设计的开关电源系统。典型应用场景包括智能手机、笔记本电脑和平板电脑的USB-C PD快速充电器，尤其适用于65W至100W以上的高功率适配器设计。在工业领域，该器件可用于工业传感器、PLC电源模块、LED驱动电源以及电信设备中的板载电源（POL）转换。由于其出色的热管理和高频性能，也适合用于数据中心服务器的辅助电源、网络路由器和交换机的内置电源单元。此外，在消费类家电如智能电视、音响系统和游戏主机的外置电源适配器中，PSDB5D28NT4R0能够帮助制造商满足日益严格的能效标准（如DoE Level VI、Energy Star）。在新兴应用方面，该器件还可用于电动工具充电器、无人机电源系统以及便携式医疗设备的高效电源解决方案。凭借其高集成度和可靠性，PSDB5D28NT4R0为设计师提供了从概念到量产的一站式高能效电源设计平台。
PSDB5D28NT4R
