类型：双共阴极超快恢复二极管
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：2800 V
　　平均整流电流 I(AV)：5 A（每芯片）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：100 A
　　最大正向电压降 VF：1.75 V（在 5 A, Tc=25°C 条件下）
　　反向恢复时间 trr：35 ns（典型值）
　　最大反向漏电流 IR：10 μA（在 25°C）、500 μA（在 125°C）
　　工作结温范围 TJ：-40 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围 Tstg：-40 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-183B-2（MiniBLOC）
　　安装方式：通孔（Through-Hole）
　　绝缘电压：2500 VAC（1分钟）
　　热阻 Rth(j-c)：2.5 °C/W（每个芯片到外壳）

PSDB5D28NT330的核心特性之一是其高耐压能力，每个二极管可承受高达2800 V的重复反向电压，这使得它能够在高压PFC级和DC-DC变换器中可靠地工作，即使在电网波动或瞬态过压情况下也能保持稳定性。这种高耐压设计不仅提高了系统的安全裕度，还减少了对外部保护电路的依赖。
　　另一个关键特性是其超快恢复时间，典型值仅为35 ns。这一特性显著降低了二极管在关断过程中的反向恢复电荷（Qrr），从而有效抑制了开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这对于高频开关电源尤为重要，因为它可以减少对滤波元件的需求并提升整体转换效率。同时，较低的Qrr也有助于降低与IGBT或MOSFET配合使用时的开关损耗，延长主开关器件的寿命。
　　该器件具有低正向压降（1.75 V @ 5 A），这意味着在大电流导通状态下功耗更低，发热更小，有助于提升能效并简化热管理设计。结合其2.5 °C/W的低热阻（结到壳），PSDB5D28NT330可以在较高负载条件下持续稳定运行而不会出现过热问题。
　　双共阴极结构的设计使其特别适合应用于桥式PFC拓扑或双路输出整流场合，简化了PCB布局并减少了寄生电感的影响。此外，MiniBLOC封装提供了良好的电气隔离性能（2500 VAC绝缘耐压），增强了系统在高压环境下的安全性。整个器件采用无铅、无卤素材料制造，符合现代环保标准，适用于全球市场的电子产品合规需求。

PSDB5D28NT330广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子设备中。其主要应用场景之一是功率因数校正（PFC）电路，特别是在升压型PFC拓扑中作为输出整流二极管使用。由于其高耐压、快恢复和低损耗特性，它能够有效提升PFC级的效率并减少热量产生，适用于服务器电源、电信电源和工业自动化设备中的前端功率处理模块。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该器件常用于DC-AC逆变器的辅助电源或电池充电电路中的高压整流部分，确保在市电异常时仍能稳定供电。其高可靠性与宽温区工作能力（-40°C 至 +150°C）使其适应各种严苛环境下的长期运行。
　　太阳能光伏逆变器也是其重要应用领域。在此类系统中，多个光伏组串串联后产生高达上千伏的直流电压，PSDB5D28NT330可用于直流链路的泄放回路或辅助电源的高压整流，保障系统在高压条件下的安全与效率。
　　此外，该器件还可用于高压直流电源、激光电源、X射线发生器、感应加热装置以及电机驱动器中的续流或箝位二极管。其坚固的封装结构和优异的散热性能使其在密闭或通风不良的环境中依然表现良好。由于支持通孔安装，便于手工焊接和维修，在中小批量生产中也具有较高的实用性。

VS-PSDB5D28NT4