时间：2025/8/14 10:43:30
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PSDB1560L1_T0_00001是一款由Rohm Semiconductor生产的功率MOSFET模块，属于其PrestoMOS系列。该模块集成了一个N沟道MOSFET和一个快速恢复二极管（FRD），专为高效能、高频率的电源转换应用设计。PSDB1560L1_T0_00001采用小型化封装设计，适用于需要紧凑布局的电源系统，如DC-DC转换器、AC适配器、服务器电源和工业设备电源等。
类型：功率MOSFET模块
沟道类型：N沟道
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：15A（连续）
最大导通电阻（RDS(on)）：0.6Ω（典型值）
最大工作温度：150°C
封装类型：表面贴装（SMD）
二极管类型：快速恢复二极管（FRD）
二极管最大反向电压（VRM）：600V
二极管最大正向电流（IF）：15A
PSDB1560L1_T0_00001具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率和高频电源应用。该模块的MOSFET部分具有低导通电阻（RDS(on)），能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，集成的快速恢复二极管（FRD）具有较低的反向恢复时间（trr），有助于减少开关损耗，并提高系统整体的能效。
该器件采用紧凑的封装设计，使得模块在有限的空间内仍能保持良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。模块的封装材料和结构经过优化，确保了良好的热管理和长期可靠性，适合在高温环境下运行。此外，PSDB1560L1_T0_00001的封装设计也有助于降低寄生电感，提高高频开关性能。
在安全性和可靠性方面，PSDB1560L1_T0_00001具备过热保护和过流保护能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。模块的制造工艺符合RoHS标准，符合环保要求，适用于工业级和商业级应用。
PSDB1560L1_T0_00001广泛应用于多种电源系统，包括但不限于DC-DC转换器、AC适配器、服务器电源、工业电源设备以及高频开关电源。其高效率和紧凑设计使其成为高功率密度系统的理想选择。
PSDB1560L1, PSDB2060L1, PSDB1060L1
