PSD04N60 时间：2025/8/1 13:51:34 阅读：14

PSD04N60是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电源开关和高效率电源系统中。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适合中高功率应用。PSD04N60的封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：4A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.5Ω（最大值1.8Ω）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252

特性

PSD04N60具有多项优良的电气和热性能，适用于高电压和中等电流的应用。其600V的漏源电压使其能够承受较高的电压应力，适用于开关电源和马达驱动器等高压应用。该MOSFET的导通电阻较低，在工作状态下能够减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，PSD04N60具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　其封装设计采用了高效的散热结构，有助于在高电流工作条件下有效散热，防止器件过热损坏。PSD04N60的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V或12V驱动电路，方便在各种控制系统中使用。
　　PSD04N60还具有快速开关特性，能够在高频率下运行，适用于需要快速切换的功率转换器和逆变器。其短路和过载能力强，提高了器件在恶劣工作条件下的稳定性。此外，该MOSFET的制造工艺成熟，具有较高的稳定性和一致性，适合大批量生产和应用。

应用

PSD04N60广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、逆变器、电池充电器以及工业自动化设备。它适用于需要高电压隔离和中等电流控制的场合，例如家用电器、工业控制系统、通信设备电源模块等。在电动汽车和新能源系统中，PSD04N60也可用于功率管理单元和电能转换系统。