型号：PS4D18-100MT
　　类型：双肖特基势垒二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压 VRRM：100V
　　最大直流阻断电压 VR：100V
　　最大RMS电压 VR(RMS)：70V
　　最大正向整流电流 IF(AVG)：200mA @ Ta=75°C
　　峰值浪涌电流 IFSM：1.25A
　　最大正向电压 VF：650mV @ IF=200mA, Tj=25°C
　　最大反向漏电流 IR：5μA @ VR=100V, Tj=25°C；500μA @ VR=100V, Tj=125°C
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

PS4D18-100MT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，显著降低了传统PN结二极管中存在的正向导通压降。相比于常规硅二极管约0.7V的VF值，PS4D18-100MT在200mA电流下仅需最高650mV即可导通，这意味着更低的能量损耗和更高的转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它直接延长了续航时间并减少了发热问题。同时，由于没有少数载流子的储存效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，从而有效抑制了高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性。
　　另一个关键特性是其双共阴极配置，即将两个独立的肖特基二极管共享一个阴极端子。这种结构常用于全波整流或双通道同步整流拓扑中，简化了PCB布线并节省了空间。在DC-DC升压或降压转换器中，该配置可用于防止电感反电动势损坏开关元件，同时提高能量回馈效率。此外，PS4D18-100MT在高温环境下的反向漏电流控制表现出色，在结温达到125°C时最大漏电流仅为500μA，远低于同类产品水平，这保证了其在恶劣工况下的长期可靠性。器件还具备较强的抗静电能力（ESD protection）和良好的热循环耐久性，确保在自动化焊接过程中不会因热应力而失效。SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且引脚间距适中，兼容标准回流焊工艺，适合大规模自动化生产。综合来看，PS4D18-100MT凭借其低VF、高速响应、高可靠性及小型封装等多重优点，成为现代高效电源管理系统中的理想选择之一。

PS4D18-100MT广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换电路，用于提升电源效率并减少热量积累。在AC-DC适配器和离线电源的次级整流部分，该器件可用于低压输出端的同步整流辅助电路，以替代传统的快恢复二极管，从而提高整体能效。此外，在电池充电管理模块中，它常被用作防反接保护二极管，防止电池错误接入导致主控芯片损坏。
　　在通信领域，PS4D18-100MT可用于隔离不同电源域之间的信号路径，避免电流倒灌影响系统稳定性，尤其适用于多电源供电的路由器、交换机和IoT网关设备。其快速响应特性也使其适用于高频脉冲整流和信号包络检测电路，例如在无线传感器节点中提取调制信号。工业控制系统中，该器件可用于PLC输入模块的输入保护，抑制感应负载断开时产生的反向电动势。另外，在汽车电子系统中，尽管其功率等级较低，但仍可用于车载信息娱乐系统的小信号整流或LED驱动电路中的续流路径。由于其符合RoHS和无卤素标准，因此也适用于医疗电子设备和精密测量仪器等对材料安全性有严格要求的场合。总之，PS4D18-100MT凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为众多高密度、高效率电子设计中的关键组件。

BAS40-04W, PMEG2005EH, SS12