类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.3A（在 25°C 环境温度）
　　导通电阻（Rds(on)）：43mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：52mΩ @ Vgs = -2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223
　　功率耗散（Pd）：1.3W

PS3612 的关键特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。该器件支持在 -20V 的漏源电压下运行，适合低电压电源管理系统，如 5V、12V 电源轨中的负载开关控制。
　　此外，PS3612 采用 SOT-223 小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，有助于在高负载条件下保持稳定。该 MOSFET 在栅极驱动电压为 -4.5V 和 -2.5V 时均能保持较低的导通电阻，使其兼容多种驱动电路设计，包括低电压控制器。
　　PS3612 的另一个优势是其快速开关能力，能够减少开关损耗，提高动态响应。这使其适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统和热插拔电路等高频开关应用。
　　此外，该器件具备良好的温度稳定性和抗静电能力，能够在工业级温度范围内可靠运行，适用于通信设备、便携式电子产品、电源适配器及汽车电子系统。

PS3612 主要应用于需要高效、低电压操作的功率控制场合。常见的应用包括负载开关、电池供电设备的电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、热插拔电路和工业控制系统中的功率开关模块。
　　在便携式电子设备中，PS3612 可用于优化电池供电效率，减少待机功耗。在服务器和通信设备中，该器件可用于构建高密度电源管理系统，以提高系统的整体能效。
　　此外，PS3612 还可用于汽车电子系统中的低压功率控制，例如车用充电器、车载信息娱乐系统（IVI）以及车身控制模块（BCM）中的电源管理单元。

Si4435BDY, TPS27081A-Q1, FDS6680, NTR4501N