时间：2025/8/7 15:36:26
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PS3002TEG-G 是一款由 Littelfuse（前身为 Vishay Semiconductor）制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高边开关、负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效能开关应用。PS3002TEG-G 采用先进的功率 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于各种便携式电子设备和工业控制系统。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-2.5A
漏源极击穿电压（VDS）：-20V
栅源极击穿电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ @ VGS = -4.5V，200mΩ @ VGS = -2.5V
功耗（PD）：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
PS3002TEG-G 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。其 RDS(on) 值在 VGS = -4.5V 时为 120mΩ，在 VGS = -2.5V 时为 200mΩ，这使得它非常适合用于低电压应用，如电池供电设备中的电源开关和负载管理。
该器件采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。PS3002TEG-G 的最大漏极电流为 -2.5A，漏源极电压为 -20V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场合。
此外，PS3002TEG-G 具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的 2.5V 至 4.5V 栅极驱动电压，适合与多种控制器或逻辑电路配合使用。其 ±12V 的栅源极电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。
该 MOSFET 还具有优异的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，确保长期运行的可靠性。PS3002TEG-G 的这些特性使其成为理想的高边开关解决方案，广泛应用于便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子以及消费类电子产品中。
PS3002TEG-G 主要用于需要高效能开关控制的场合，如电池管理系统、负载开关、电源管理模块、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制以及便携式电子设备中的电源控制。此外，它也常用于工业控制系统中的高边开关和保护电路中。
Si2305DS, IRML2502, BSS84
