类型：单向TVS二极管
　　峰值脉冲功率：600W
　　击穿电压（VBR）：6.8V @ 1mA
　　反向工作电压（VRWM）：6.0V
　　最大钳位电压（VC）：10.5V @ 57.7A
　　测试电流（IT）：1mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 6.0V
　　响应时间：＜1ns
　　封装：SOD-123FL
　　极性：单极性
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

PS2D18-6R8NT作为一款高性能瞬态电压抑制二极管，具备优异的电气特性和可靠性，广泛用于现代电子系统的过压保护设计。其核心特性之一是快速响应能力，响应时间低于1纳秒，使其能够在瞬态过电压事件（如静电放电ESD或电快速瞬变EFT）发生的极短时间内迅速导通，将有害能量旁路到地，从而有效防止电压上升对下游集成电路造成损坏。该器件基于PN结雪崩击穿原理工作，在正常工作电压下呈现高阻态，几乎不消耗系统电流；当线路电压超过其击穿阈值时，器件迅速进入低阻导通状态，将瞬态电流引导至地，限制电压在安全范围内。
　　该TVS二极管的击穿电压标称为6.8V（在1mA测试条件下），反向关断电压为6.0V，适用于额定工作电压在5V至6V之间的直流电源线或信号线保护，例如USB接口、GPIO引脚、MCU供电端等。其最大钳位电压为10.5V，在承受高达57.7A的峰值脉冲电流时仍能保持较低的残压，确保被保护器件不会因过压而失效。此外，该器件具有600W的峰值脉冲功率处理能力（依据8/20μs电流波形测试），满足国际电磁兼容标准如IEC 61000-4-2 Level 4（ESD ±8kV接触放电）的要求，适合在严苛电磁环境中使用。
　　SOD-123FL封装是该器件的重要物理特性之一，相较于传统SOD-123封装，SOD-123FL更薄且引脚占位更小，有利于实现轻薄化和高密度PCB布局，特别适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具备良好的热传导性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产，提升制造效率与产品一致性。此外，PS2D18-6R8NT的工作温度范围宽达-55℃至+150℃，可在极端高低温环境下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　从材料与工艺角度看，该器件采用高纯度单晶硅和先进扩散工艺制造，确保击穿电压的一致性和批次稳定性。其低动态电阻特性意味着在大电流导通状态下电压上升缓慢，有助于进一步降低钳位电压，提升保护效果。同时，反向漏电流极低（典型值1μA @ 6.0V），在正常工作状态下几乎不引入额外功耗，特别适合电池供电设备。综合来看，PS2D18-6R8NT以其紧凑尺寸、高效保护能力和环境适应性强等优点，成为现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。

PS2D18-6R8NT主要应用于需要瞬态过电压保护的各种电子设备和系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，用于保护USB数据线、充电接口、按键输入和传感器信号线免受人体静电（ESD）影响。在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出端口、继电器驱动电路、传感器接口等易受电感反电动势或电源波动干扰的节点，提升系统抗扰度和长期运行稳定性。在通信设备中，如路由器、交换机和光模块，PS2D18-6R8NT可用于保护低速数据线路（如I2C、UART、SPI总线）免受外部耦合干扰或电源异常引起的电压冲击。此外，在汽车电子系统中，尽管该型号非AEC-Q101认证器件，但仍可用于非关键性车载设备，如车载导航、娱乐系统、OBD接口等的低压信号线保护。由于其SOD-123FL小型封装特性，也广泛用于空间受限的高密度PCB设计，尤其适合自动化贴片生产工艺，提升产品良率与一致性。总之，凡涉及5V左右直流电压工作的电子线路，若存在ESD、EFT或雷击感应风险，PS2D18-6R8NT均是一个经济高效的保护解决方案。

TPSMF6.8A