型号：PS2D18-100MT
　　制造商：Power Integrations
　　通道类型：双通道，高低侧驱动
　　输出驱动能力：典型峰值拉电流/灌电流 2.5A / 2.5A
　　输入逻辑电压兼容性：3.3V 和 5V TTL/CMOS 兼容
　　工作电源电压（VDD）：10V 至 20V
　　高压侧偏置电压（VB）：最高可达 600V
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100V/ns
　　传播延迟时间：典型值 50ns
　　上升时间（tr）：典型值 15ns
　　下降时间（tf）：典型值 15ns
　　匹配传播延迟：±5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8 封装（带裸露焊盘增强散热）
　　隔离电压（封装）：约 6000Vrms（依据UL认证）
　　输入-输出延迟匹配：良好匹配以减少死区时间
　　关断状态逻辑输入阈值：低电平有效（可配置）

PS2D18-100MT具备卓越的电气性能和系统级可靠性，其核心特性之一是采用了高度集成的电平移位技术，使得低压侧控制器能够无缝地控制浮动在高电压节点上的上桥臂MOSFET。这种集成化的电平移位机制不仅消除了对外部光耦或脉冲变压器的需求，还显著减少了元件数量和PCB布局复杂度，提升了整体系统的可靠性和寿命。同时，该芯片支持高达600V的高压侧浮动电压，使其非常适合用于PFC电路、半桥和全桥拓扑中的高端开关驱动。
　　另一个关键特性是其出色的抗噪声能力，通过高达100V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）指标，确保即使在极端dV/dt环境下也能维持信号完整性，避免因电压突变引起的误触发或误导通现象。这对于现代高频开关电源尤为重要，尤其是在使用GaN或SiC等宽禁带半导体器件时，更高的开关速度对驱动器的抗干扰能力提出了更严格的要求。
　　该器件还具备精确匹配的传播延迟特性，上下两通道之间的延迟差异极小（通常在±5ns以内），这有助于实现更精确的死区时间控制，降低交越导通风险，并提高变换器效率。此外，内部集成的欠压锁定（UVLO）保护功能会在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止MOSFET工作在线性区造成过热损坏。
　　PS2D18-100MT的输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，可在短时间内提供高达2.5A的峰值电流，有效缩短开关过渡时间，降低开关损耗。其封装设计考虑了热性能优化，SOIC-8带裸露焊盘的形式可有效传导热量至PCB，提升散热效率，从而支持持续高负载运行。整体而言，该芯片结合了高性能、高集成度与强健的保护机制，是一款面向中高端功率转换应用的理想驱动解决方案。

PS2D18-100MT主要应用于各类需要高效、高可靠性MOSFET或IGBT驱动的电力电子系统中。典型应用场景包括交流-直流（AC-DC）开关电源，特别是采用有源功率因数校正（PFC）拓扑的电源模块，其中常使用半桥结构进行升压转换，该芯片可精准驱动上下桥臂开关管，提升功率因数并降低谐波失真。
　　在直流-交流（DC-AC）逆变系统中，如太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统，PS2D18-100MT可用于驱动H桥中的四个开关器件中的两个桥臂，配合另一片驱动器实现全桥控制。其高CMTI性能和快速响应能力保障了在高频率PWM调制下的稳定运行，尤其适合使用高频变压器隔离或非隔离拓扑的场合。
　　此外，在电机驱动领域，无论是无刷直流电机（BLDC）还是永磁同步电机（PMSM）控制系统，该芯片均可作为栅极驱动单元的一部分，用于三相逆变桥中的每相上下管驱动。凭借其低温漂和高定时精度，有助于实现更平稳的电机转矩输出和更高的能效等级。
　　其他应用还包括电动汽车车载充电机（OBC）、工业数字电源、LED大功率恒流驱动电源以及电信整流模块等。这些应用普遍要求驱动器具有高耐压、低延迟、强抗干扰能力和长期稳定性，而PS2D18-100MT正好满足这些需求，因此成为众多工程师的首选器件之一。

IRS21844PBF
　　IR2110S
　　UCC27712DR