类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：8通道
　　封装形式：DFN-10 (2x2 mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　峰值脉冲功率（PPPM）：每线对可达200W（8/20μs波形）
　　击穿电压（VBR）：最小9.5V，典型值10.5V，最大11.7V
　　反向截止电压（VRWM）：8.2V
　　钳位电压（VC）：15.8V（在IPP = 1A条件下）
　　结电容（Cj）：典型值0.3pF，最大值0.5pF
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　响应时间：小于1ps
　　极性配置：双向保护
　　引脚数量：10
　　安装方式：表面贴装（SMD）

PS2D11-8R2NT的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.3pF，这一参数使其非常适合应用于现代高速数据通信接口中。在高频信号传输场景下，如USB 3.0、HDMI 2.0或MIPI D-PHY等，传统保护器件往往因较高的寄生电容导致信号反射、眼图闭合或误码率上升等问题。而PS2D11-8R2NT凭借其极低的结电容，几乎不会对原始信号造成影响，保证了高速信号的完整性与稳定性。此外，该器件在整个工作频率范围内表现出非常平坦的电容特性，进一步增强了其在宽频带应用中的可靠性。
　　另一个显著特点是其强大的ESD防护能力。PS2D11-8R2NT能够承受高达±15kV的接触放电（依据IEC 61000-4-2国际标准），并可在空气放电模式下达到±20kV的防护等级。这种级别的抗扰度远超多数消费类电子产品的实际使用需求，因此可广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备等人机交互频繁的产品中。即使在恶劣的电磁环境中，也能确保敏感IC（如SoC、显示驱动芯片、摄像头模组等）不被静电击穿或性能劣化。
　　该器件采用双向对称结构设计，支持交流信号和差分信号的双向过压保护，避免因极性反转导致保护失效的问题。其快速响应时间低于1皮秒，在瞬态事件发生的瞬间即可导通泄放电流，将电压钳制在安全范围之内。同时，PS2D11-8R2NT具有较低的漏电流（通常小于1μA @ VRWM），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，有助于提升系统整体能效，尤其适合电池供电设备。
　　从结构上看，PS2D11-8R2NT集成了八条独立的保护线路，布局灵活，可用于多路单端信号或四组差分对的保护。其DFN-10封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，有利于热量散发，提高长期运行的稳定性。此外，该封装符合JEDEC标准，便于自动化贴片生产，提升了制造效率和良品率。

PS2D11-8R2NT主要应用于需要高等级静电防护且对信号完整性要求严格的高速接口电路中。典型应用场景包括移动智能终端中的USB Type-C接口保护，特别是在支持USB 3.1 Gen1或更高版本的数据速率时，必须选用低电容、高响应速度的TVS器件以防止信号失真，同时抵御用户插拔过程中产生的静电冲击。此外，该器件也常用于高清音视频接口如HDMI、DisplayPort Mini和Thunderbolt等，这些接口传输速率高达数Gbps，任何额外的寄生电容都可能导致眼图恶化，而PS2D11-8R2NT的0.3pF超低电容特性正好满足此类严苛要求。
　　在智能手机和平板电脑的设计中，PS2D11-8R2NT被广泛部署于摄像头模块与主板之间的MIPI CSI-2信号线保护，以及显示屏与处理器之间的MIPI DSI接口防护。由于这些信号线通常走线较长且暴露在组装和维修过程中，极易受到ESD损伤，因此需要高效可靠的TVS保护方案。PS2D11-8R2NT不仅能提供足够的抗静电能力，还能保持原始信号质量，确保图像和视频传输的清晰稳定。
　　其他应用还包括便携式医疗设备、工业人机界面（HMI）、车载信息娱乐系统的外部连接端口，以及各种带有触摸屏或外接传感器接口的物联网设备。在这些应用中，设备经常面临复杂环境下的电磁干扰和人为接触带来的静电风险，PS2D11-8R2NT以其高可靠性和紧凑尺寸成为理想的电路保护解决方案。

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　　 "SP1006-04UTG",
　　 "SRV05-4",
　　 "TPD4EUSB30DP"
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